Навигация
Главная
Новости
Ресурсы
 Книги
 Справочники
 Статьи
Файловый архив
 Журналы
 Книги
 Справочники
 Просто софт
 Софт по электронике
Обратная связь
Карта сайта

СКБ КриптоНет


Книги

Уважаемый читатель!
Публикация данного документа не преследует за собой никакой коммерческой выгоды. Но такие документы способствуют профессиональному и духовному росту читателей и являются рекламой бумажных изданий таких документов. Все авторские права сохраняются за правообладателем.
За содержание книги ответственность несут ее авторы.

Память типа DRAM
Динамическая оперативная память (Dynamic RAM — DRAM) используется в боль­шинстве систем оперативной памяти современных персональных компьютеров. Основное преимущество памяти этого типа состоит в том, что ее ячейки упакованы очень плотно, т. е. в небольшую микросхему можно упаковать много битов, а значит, на их основе можно построить память большой емкости.
Ячейки памяти в микросхеме DRAM — это крошечные конденсаторы, которые удер­живают заряды. Именно так (наличием или отсутствием зарядов) и кодируются биты. Проблемы, связанные с памятью этого типа, вызваны тем, что она динамическая, т. е. должна постоянно регенерироваться, так как в противном случае электрические заряды в конденсаторах памяти будут "стекать" и данные будут потеряны. Регенерация происхо­дит, когда контроллер памяти системы берет крошечный перерыв и обращается ко всем строкам данных в микросхемах памяти. Большинство систем имеют контроллер памяти (обычно встраиваемый в набор микросхем системной платы), который настроен на соот­ветствующую промышленным стандартам частоту регенерации, равную 15 мкс. Ко всем строкам данных обращение осуществляется по прохождении 128 специальных циклов регенерации. Это означает, что каждые 1,92 мс (128x15 мкс) прочитываются все строки в памяти для обеспечения регенерации данных.
Регенерация памяти, к сожалению, отнимает время у процессора: каждый цикл реге­нерации по длительности занимает несколько циклов центрального процессора. В старых компьютерах циклы регенерации могли занимать до 10% (или больше) процессорного времени, но в современных системах, работающих на частотах, равных сотням мегагерц, расходы на регенерацию составляют 1% (или меньше) процессорного времени. Некоторые системы позволяют изменить параметры регенерации с помощью программы установки параметров CMOS, но увеличение времени между циклами регенерации может привести к тому, что в некоторых ячейках памяти заряд "стечет", а это вызовет сбои памяти. В боль­шинстве случаев надежнее придерживаться рекомендуемой или заданной по умолчанию частоты регенерации. Поскольку затраты на регенерацию в современных компьютерах составляют менее 1%, изменение частоты регенерации оказывает незначительное влия­ние на характеристики компьютера. Одним из наиболее приемлемых вариантов является использование для синхронизации памяти значений по умолчанию или автоматических настроек, заданных с помощью Setup BIOS. Большинство современных систем не поз­воляют изменять заданную синхронизацию памяти, постоянно используя автоматически установленные параметры. При автоматической установке системная плата считывает параметры синхронизации из системы обнаружения последовательности в ПЗУ (serial presence detect — SPD) и устанавливает частоту периодической подачи импульсов в соот­ветствии с полученными данными.
В устройствах DRAM для хранения одного бита используется только один транзи­стор и пара конденсаторов, поэтому они более вместительны, чем микросхемы других типов памяти. В настоящее время имеются микросхемы динамической оперативной па­мяти емкостью 512 Мбайт и больше. Это означает, что подобные микросхемы содержат более 256 млн транзисторов! А ведь Pentium 4 имеет только 42 млн транзисторов. Откуда такая разница? Дело в том, что в микросхеме памяти все транзисторы и конденсаторы размещаются последовательно, обычно в узлах квадратной решетки, в виде очень про­стых, периодически повторяющихся структур, в отличие от процессора, представляющего собой более сложную схему различных структур, не имеющую четкой организации.

Если Вы найдете какие либо опечатки, ошибки или подозрительные неточности то обязательно сообщите об этом администрацию сайта (Сделать это можно здесь)


[ Вернуться назад ]

ТОП 10
Файлы:

  1. Карманный справочник по электронике
  2. Цифровая схемотехника
  3. Азбука разработчика цифровых устройств
  4. sPlan или RusPlan v.6.0.0.1
  5. Основы теории цепей
  6. Основы языка VHDL
  7. Справочник по полупроводниковым приборам
  8. UNILOGIC - Логический анализатор для PC
  9. Справочник по расчету параметров катушек индуктивности
  10. Программирование однокристальных микропроцессоров



Новости:

  1. В 3D-принтере лазер заменили солнечным лучом
  2. Нановолокна упростят лечение рака
  3. Квантовый компьютер: IBM переходит к практике
  4. Конференции «Форум разработчиков цифровой электроники»
  5. Магнитогорские андроиды завоюют российский рынок
  6. Создана "глушилка" болтунов, теперь там где надо будет тихо
  7. Создан компактный ветрогенератор на пьезоэлементах
  8. Робот-гепард поставил рекорд скорости
  9. Механическая рука DARPA удивляет ловкостью
  10. Создан пульт дистанционного управления мозгом

Электроника это просто1
Copyright © electronic.com.ua 2007-2024